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On Wafer无线测温晶圆 - 低温环境

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On Wafer无线测温晶圆 - 低温环境

On Wafer无线测温晶圆 - 低温环境

  • 晶圆尺寸:200mm, 300mm
    传感器数:45-81个
    测温范围:-40-40℃
    测温精度:0.2-0.5℃
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On Wafer无线测温晶圆 – 低温环境

产品介绍

On Wafer 低温刻蚀测量系统适用于低温干法刻蚀的晶圆温度测量,测量温度范围在-40到40℃,实现对干法刻蚀温度监测的最大精确度。

可适用于等离子体开启状态的测温,检测在等离子环境中温度对晶圆的影响,能够有效屏蔽电磁干扰,提高测温精确度。

测温传感器可以达到81个,可定制传感器数量。 晶圆尺寸8寸和12寸可选。

可离线收集数据,专业的配套软件能够快速分析温度的最大值、最小值和平均值,省去工程师大量分析时间成本。

产品特点:

适用于低温刻蚀-40-40℃环境,适用于等离子体环境。

主要应用
干法刻蚀DRY ETCH

规格参数

序号参数内容
1晶圆尺寸8”12”
2基材
3面材
4测温点数81/65
5传感器类型IC
6测温极限范围-40-40
 
7采样频率1Hz
2Hz / 4Hz
8精度0.1/0.2
9厚度1.2mm/1.4mm
10通信方式RF
11动力方式电池
12充电方式无线充电
13交货期35-45
14应用场景湿法清洗、干法刻蚀
14质保1

软件界面

如何选型

提供以下信息以供选型:
1.测温精度
2. wafer尺寸
3. 测温点数
4. 使用环境(是否有等离子体环境)
5. 测温点分布