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RTD Wafer温度传感器

RTD wafer inroduction RTD Wafer温度传感器

RTD Wafer温度传感器,可定制

  • 测温精度高:±0.05℃
  • 测温范围:-40~250℃
  • 测温点数:1-97点
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RTD Wafer温度传感器

产品介绍

RTD Wafer是一种采用特殊加工工艺制成的温度传感器,其将测温元件(RTD)嵌入晶圆表面的特定位置,能够实时监测晶圆表面温度。该传感器可用于获取晶圆特定区域的真实温度数据及整体温度分布,也可在热处理过程中持续监测晶圆的瞬态温度变化。

产品特点

适合精度要求高的测温,精度可达0.05℃;
可定制定位数高达97点。

规格参数

序号参数内容
1精度±0.05℃(-80-250℃,0-250℃)
±0.5℃(-80-350℃,0-350℃)
2测温范围-80~250℃(精度±0.05℃)
-80-350℃(精度±0.5℃)
3温度分辨率0.01℃
4传感器类型PT 1000
5测温点数1~97
6基底材质硅/ 蓝宝石等
7晶圆尺寸2”,4”,6”,8”,12”
8通信有线
9厚度2~3.5mm
10应用场景光刻涂胶显影TRACK设备、原子层沉积(ALD)、探针台测温、高精度加热盘
11采样率1Hz/2Hz
12质保期3个月

软件界面

主要应用

光刻涂胶显影TRACK设备
原子层沉积(ALD)
探针台测温
高精度加热盘

生产周期

约35天

定制项目

1.确定温度精度要求与尺寸
2.确定真度要求
3.确定点位数量与排布
4.确定引出线长度