On Wafer 无线测温晶圆
On Wafer 无线测温晶圆
- 晶圆尺寸：8″, 12″
- 测温点数：81个点（可定制）
- 测温范围：15-100℃
- 通信方式：RF
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On Wafer无线晶圆温度测量系统
产品介绍
无线晶圆温度测量系统是在晶圆中嵌入了一个完整的测量系统，可以测量并记录蚀刻工艺环境对真实工艺条件下 生产晶圆的影响，无需有线连接。
无线晶圆温度测量系统通过测量与产品工艺接近条件下的温度数据，可以帮助工艺工程师完成调整蚀刻工艺条件，验证及匹配腔体、和PM后的验证等工作。
产品特点：
可定制点位数高达81点
测温累积时长达6小时
超薄设计，厚度可薄至1.2mm
规格参数
| 序号 | 参数 | 内容 |
| 1 | 晶圆尺寸 | 8”，12” |
| 2 | 基材 | 硅 |
| 3 | 面材 | 硅 |
| 4 | 测温点数 | 81/65 |
| 5 | 传感器类型 | IC |
| 6 | 测温极限范围 | 干法刻蚀15-100℃ |
| 湿法清洗15-120℃ | ||
| 7 | 机台温度范围 | 干法刻蚀12-85℃ |
| 湿法清洗15-120℃ | ||
| 8 | 精度 | 0.1℃/0.2℃ |
| 9 | 厚度 | 1.2mm/1.4mm |
| 10 | 通信方式 | RF |
| 11 | 动力方式 | 电池 |
| 12 | 充电方式 | 无线充电 |
| 13 | 采样频率 | 1Hz/2Hz/4Hz |
| 14 | 应用场景 | 湿法清洗、干法刻蚀 |
| 14 | 质保 | 1年 |
软件界面
主要应用
湿法清洗
干法刻蚀
如何选型
1.确定温度精度要求与尺寸
2.确定使用环境，是否符合要求（目前8寸无线测温晶圆能在plasma和ESC的环境下使用）
3.确定点位数量与排布