On Wafer 低温刻蚀测量系统

On Wafer 低温刻蚀测量系统适用于低温干法刻蚀的晶圆温度测量，测量温度范围在-40到40℃，实现对干法刻蚀温度监测的最大精确度。

可适用于等离子体开启状态的测温，检测在等离子环境中温度对晶圆的影响，能够有效屏蔽电磁干扰，提高测温精确度。

测温传感器可以达到81个，可定制传感器数量。 晶圆尺寸8寸和12寸可选。

可离线收集数据，专业的配套软件能够快速分析温度的最大值、最小值和平均值，省去工程师大量分析时间成本。